反式钙钛矿量子点发光二极管(Pe-QLED)因其与n型薄膜晶体管驱动的有源矩阵面板兼容而有望成为下一代显示器的重要应用，这对于工业集成而言至关重要。然而，ZnO电子传输层(ETL)和钙钛矿量子点(Pe-QD)之间的界面反应会导致严重的性能衰减和荧光猝灭，从而降低器件效率和运行稳定性。鉴于此，2025年10月9日南京理工大学徐勃&瑞典林雪平大学Glib V. Baryshnikov于Angew刊发双协同界面钝化实现高性能反式钙钛矿量子点发光二极管的研究成果，引入了一种双协同界面钝化策略，采用季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)(PETMP)作为多功能缓冲层。PETMP层通过两种协同机制解决了界面不兼容问题：(I)PETMP中的硫醇基团与ZnO ETL形成牢固的S─Zn键，钝化表面氧空位，改善薄膜形貌，并降低电子注入势垒。 (II)同时，这些硫醇与Pe-QD表面配位不足的Pb离子配位，提高了发光效率并抑制了非辐射复合。这种双重协同钝化策略可制备出反式绿光Pe-QLED，其最大外量子效率(EQE)达到创纪录的24.35%，是使用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)缓冲剂的传统器件(EQE=12.61%)性能的两倍。此外，该策略优化的界面显著提高了器件的工作稳定性。这项工作确立了基于PETMP的钝化技术作为高性能反式Pe-QLED和其他光电器件的变革性方法。
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