二维钙钛矿具有带隙可调性和更高的化学稳定性，已被用于设计光电器件。2021年美国圣母大学Kamat团队于AM刊发降低RP二维钙钛矿的n值可抑制离子迁移的研究成果。从混合卤素（Br：I = 50：50）钙钛矿薄膜中的卤化物离子分离和暗恢复可以看出，随着层数（n = 10-1）的减少而降低维度也赋予了对光诱导离子迁移的抵抗力。随着二维钙钛矿薄膜的维数从 n = 10 降低到 1，光致卤化物离子分离效率从 20% 降低到 <1%，由不同的吸收光谱确定。分离速率常数（ksegregation）从 5.9×10−3 s−1(n = 10)降低到3.6×10−4 s−1 (n = 1)，与在电荷载流子寿命中观察到的近一个数量级的下降密切相关（τaverage = 233 ps for n = 10 vs τavg = 27 ps for n = 1）。二维钙钛矿中紧密结合的激子使电荷分离的可能性降低，从而降低了由卤化物迁移导致的相分离。讨论了控制二维结构维数在抑制卤化物离子迁移率方面的重要性
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