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      锡基卤化物钙钛矿发光二极管(PeLED)在900 nm以上的近红外区域发光,在夜视、生物医学和通信领域拥有巨大的应用潜力。然而,锡基钙钛矿中Sn2+的快速结晶和氧化对实现高性能稳定PeLED构成了重大挑战。鉴于此,2025年4月21日上海大学杨绪勇&香港城市大学Lingmei Kong&Andrey L. Rogach于Nano Letters刊发同时调控CsSnI3钙钛矿的结晶和抑制氧化可实现高效稳定的近红外发光二极管的研究成果,报道了一种高效的全无机CsSnI3基PeLED,通过采用多功能橙皮素添加剂来调节钙钛矿薄膜的结晶动力学并抑制其氧化过程。橙皮素不仅具有羟基,还具有提供孤电子对的氧原子,这些孤电子对分别与I形成氢键并与Sn2+强配位,从而减缓了CsSnI3的结晶速度,并形成了高覆盖密度的薄膜。重要的是,橙皮素与Sn2+的配位可以保护钙钛矿薄膜免受Sn2+Sn4+的氧化。最后,展示了高效稳定的PeLED,其峰值为948 nm,外部量子效率为4.7%,半衰期超过11小时。


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