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      锡（Sn）基钙钛矿在环保高性能发光二极管（LED）方面展现出巨大潜力。然而，锡基钙钛矿LED（PeLED）的发展明显落后于铅基钙钛矿。这主要是由于锡基钙钛矿的结晶速度更快，导致锡基钙钛矿薄膜中缺陷密度更高，从而导致严重的非辐射复合。鉴于此，2025年6月11日南京工业大学沈晓冬&滕彭彭于Angew刊发高效锡基钙钛矿发光二极管的埋底界面改性策略的研究成果，提出了一种埋界面改性（BIM）策略，利用羧酸盐作为多功能表面改性剂来调控锡基钙钛矿薄膜的结晶动力学。研究发现埋界面对于改善锡基钙钛矿薄膜的成核和结晶至关重要。最终，实现了高效的近红外锡基PeLED，其外量子效率（EQE）高达11.9%。这项工作提出了一种获得高性能锡基钙钛矿薄膜和器件的有效而优雅的途径。