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      带隙约为1.78 eV的宽带隙钙钛矿对于制备单片全钙钛矿叠层电池至关重要，但其效率和稳定性往往受限于复杂的前驱体化学性质、不可控的结晶过程、缺陷形成以及光诱导卤素偏析等问题。鉴于此，2026年9月27日南华大学周贤勇&王行柱&刘畅于AM刊发前驱体水平分子偶联实现高填充因子宽带隙钙钛矿太阳能电池及29.63%效率全钙钛矿叠层电池的研究成果，本文报道了一种用于Cs/甲脒（CsFA）基富溴宽带隙钙钛矿的前驱体级调节剂——4-(3-氨基甲脒基胍基)苯甲酸盐酸盐（CGBA）。CGBA通过与铅-卤素物种及有机阳离子发生动态相互作用，调节了前驱体的局部环境，并改变了旋涂和退火过程中的成膜行为。这种调节作用能够缓和结晶过程、促进晶体织构形成、减少由缺陷态介导的非辐射复合，并抑制光诱导卤素偏析。经优化后，带隙为 1.78 eV 的单结器件实现了21.43%的光电转换效率和85.89%的填充因子；该填充因子值在带隙范围为1.75–1.79 eV的单结宽带隙钙钛矿太阳能电池中处于领先水平。该策略具有良好的普适性，适用于多种组分和制备条件，分别实现了27.32%(1.53 eV)、23.91%(1.68 eV)、18.75%(1.85 eV)和26.08%(1.58 eV，无反溶剂工艺)的效率。在氮气氛围下储存4500小时后，未封装的目标器件仍能保持初始效率的93%。当集成到单片全钙钛矿叠层电池中时，经CGBA优化的宽带隙子电池助力叠层器件实现了29.63%的实验室实测效率。这项工作确立了前驱体级调节策略在制备高效、稳定的宽带隙钙钛矿及全钙钛矿叠层电池中的应用价值。